我国呼吁碳化硅都能利用起来，解决生产中的问题，改变不合理的生产工艺，达到提高产品铸件的质量，性能，把我国的铸造技术水平提高。另外碳、硅元素在溶液中的扩散过程，防止过快自身浓度均匀化，减少石墨衰退，十分有利于长效孕育。改性碳化硅能承受铁液温度不稳定造成孕育不良效果的影响，即无论温度低或偏高，均可达到好的孕育效果
目前，我国铸造行业中，碳化硅厂家采用感应电炉作铸铁熔炼设备的铸造厂日益增多，但是，在熔炼过程中采用碳化硅的很少，能使之充分发挥作用的少，碳化硅可提高铁水的冶金质量，减少铁水的氧化。在使用中频炉熔炼铸铁过程中，伴随而来的球化不良、石墨球少、球化剂使用量大，灰铁铸件过冷石墨多，A型石墨不能达到客户要求，加工困难等问题随之而来。本产品可以的改善铁液冶金质量，从而减少以上问题。目前市场上硅铁价格猛涨，碳化硅的价格基本没变。另外硅铁中含有的铝含量比碳化硅的铝含量要高，所以代替硅铁也是比较好的。
碳化硅（Silicon carbide，化学式SiC）俗称金刚砂，宝石名称钻髓，为硅与碳相键结而成的陶瓷状化合物，碳化硅在大自然以莫桑石这种稀罕的矿物的形式存在。自893年起碳化硅粉末被大量用作磨料。将碳化硅粉末烧结可得到坚硬的陶瓷状碳化硅颗粒，并可将之用于诸如汽车刹车片、离合器和防弹背心等需要高耐用度的材料中，在诸如发光二极管、早期的无线电探测器之类的电子器件制造中也有使用。如今碳化硅被广泛用于制造高温、高压半导体中。
虽然有很多关于碳化硅制造史的传闻，但是真正实现碳化硅的大量制备还是在890年由爱德华?古德里奇?艾奇逊逊实现的，到现在SiC已发展成为主要的宽带隙半导体材料之一，成为当前半导体研究领域的前沿和热点。
工业用碳化硅为人造碳化硅，SiC含量为95%～99.5%，常含少量的游离碳，以及Fe2O3、Si和SiO2等杂质。碳化硅按结晶类型可分为六方晶系(α-SiC)和立方晶系(β-SiC)，六方晶系又因其结晶排列的周期性不同有六方晶胞的晶型(2H、4H、6H……等)和菱形晶胞的晶型(5R、2R、27R……等)，碳化硅的同质多晶结构有00多种。工业碳化硅为α-SiC和β-SiC的混合物，颜色有黑色和绿色两种。纯净的碳化硅为无色透明，含杂质时呈黑色、绿色、蓝色及黄色。六方和立方晶系，晶体为板状，复三方柱状。具有玻璃光泽，密度为3.7～3.47g/cm3，莫氏硬度9.2，显微硬度～MPa；熔点：在大气中2050℃开始分解，在还原气氛下2600℃开始分解；弹性模量为466、480MPa；抗拉强度为7.5MPa；耐压强度为029MPa；线膨胀系数为(25～000℃)5.0×0-6/℃；热导率(20℃)为59W/(m·K)。化学性质稳定，在HCl、H2SO4和HF中煮沸也不受浸蚀，但在浓H3PO4中于230℃开始分解。
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